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本研究では、反転対称性の破れた結晶構造のバルク半導体を用いて、スピン分裂に由来したEdelstein効果に基づくスピン流・電流変換の観測を目指した。当初は、強磁性体との接合系におけるスピンポンピング法を用いていたが、この場合には界面における対称性の破れが強く効いてしまい、バルク結晶構造の対称性を反映した選択則を観測することができなかった。このため、磁気光電流効果（磁場下でスピン分裂の対称性を反映したバンド変形が生じた状態でキャリアを光励起することで電流が生じる）の手法を新たに用いた結果、バルク物質の結晶構造・スピン分裂の対称性から予測される方向に光誘起起電力が生じることを確認することができた。
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