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我々はこれまでに、電界効果トランジスタ（FET）を利用することで物質の状態そのものを電圧で制御できることを実証してきた。一方FETは物質中の電子数をほぼ連続的に変化させることができるデバイスであり、キャリア数に対する電子相図を構築する上で非常に強力な手段を提供する。本研究ではそのような観点から、特に銅酸化物高温超伝導体ナノデバイスの電界効果物性の開拓に取り組んだ。そして、代表的な電子ドープ型銅酸化物高温超伝導体であるLa2-xCexCuO4において電場誘起絶縁体-超伝導転移を実現し、詳細な電子数依存性の評価から、アンダードープ領域における電荷秩序相の存在を示唆する結果を得た。
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