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本研究はトンネルトランジスタ(TFET)における等電子トラップ(IET)のエンジニアリングによって、LSI基本素子としての開発および新機能素子の創製を目的に実施した。LSI基本素子としてはN/P型TFET両方の動作を実現し、世界初の相補型リングオシレータ回路動作に成功した。この成果は半導体デバイス分野で最も権威のある国際会議にて発表、大きな反響を得た。新機能素子の創製としてはIET援用TFETのスピン量子ビットとしての動作に成功し、動作温度10Kを達成した。これは電子素子型スピン量子ビットの世界最高動作温度である。この成果は学会発表を行い、現在論文を投稿している。
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