| 研究分担者 |
仲谷 栄伸 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 (20207814)
林 将光 物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, 主任研究員 (70517854)
千葉 大地 東京大学, 工学系研究科, 准教授 (10505241)
河野 浩 名古屋大学, 大学院理学研究科, 教授 (10234709)
中村 浩次 三重大学, 大学院工学研究科, 准教授 (70281847)
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| 研究実績の概要 |
本研究の目的は、スピン軌道相互作用を利用してスピントロニクスに軌道という新たな自由度を加えることで、「スピンオービトロニクス」という新しい学理を構築し、革新的デバイスイノベーションへ展開することである。具体的には、以下の研究項目を実施する。
(1)スピン軌道相互作用を利用した物質探索
(2)スピン軌道相互作用を利用した新規スピン操作手法の研究
これまでの主な成果は以下のようである。
(1)“Switching local magnetization by electric-field-induced domain wall motion”, Applied Physics Express 9, 063004 (2016).
本論文は上記研究項目(2)に関するものであり、電圧印加によって磁壁を移動させることで局所磁化反転に成功したことを報告している。従来の電流による磁化制御に対して格段に高いエネルギー効率が来される磁化制御法と期待される。
(2)“Electrical control of superparamagnetism”, Applied Physics Express, 10, 013004(2017).
本論文は上記研究項目(2)に関するものであり、電圧印加による超常磁性の制御に成功したことを報告している。
(3)“Energy-efficient writing scheme for magnetic domain-wall motion memory”, Applied Physics Express 10, 043002(2017).
本論文は上記研究項目(2)に関するものである。磁壁を情報とするデバイスでは磁壁の生成が情報書き込みに対応する。従来電流によって生じる局所磁場によって磁壁生成が行われてきたが、本論文ではデバイス構造を工夫することで電流駆動磁壁移動によって磁壁生成が可能であることを示した。従来法に比べ桁違いの情報書き込みエネルギー効率が得られた。
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