|
位置制御されたナノワイヤGaN量子ドットにおいて350K（摂氏７７度）における単一光子発生を世界で初めて実現した。発光自体は400Kまで確認されたが、発光強度の温度依存性を調べた結果、温度が３００Ｋを超えると、発光強度が急に下がることが分かった。更に、ドット内のエキシトンとフォノンとの相互作用の影響で起きる発光線幅の増大も具体的に研究し、他の材料の既存文献データと比較した。ＧａＮには、変形ポテンシャルだけではなく、ピエゾの相互作用メカニズムが存在するため、フォノン相互作用によって起きる発光線幅増大の程度が大きい。
|
