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本研究では、透明導電膜の新奇合成プロセスの探索という観点からアモルファス亜鉛系薄膜のトポタクティックフッ素化を行った。その結果、前駆体の酸素欠損量にかかわらず、フッ素化がごく表面で停止する結果が見出され、酸素欠損量以外にフッ素化反応に影響するファクターの存在が示唆された。また、Ga置換したアモルファスZn酸窒化物薄膜の研究を行った。条件探索の結果、Ga1%を置換したアモルファス薄膜が得られ、バンドギャップの増大とキャリア濃度の低下が確認された。また、ノンドープZnONでみられる薄膜からの窒素抜けがGa導入により抑制され、電気伝導率がより長い期間維持され薄膜の安定性の向上が確認された。
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