研究課題
不揮発性メモリは,Write-Once-Memoryとしてモデル化される.このモデル上で,記録密度が高い記録符号(符号化率の高い符号)の構成と誤り訂正能力を持つ符号の研究を行った.マルチユーザー符号化法とWOM符号の考え方を拡張して,従来報告されていた符号よりも符号化率が高い符号を構成した.ILIFC(IndexLess Indexed Floating Code)という符号に,情報ビットの反転を記憶するためのビットを新しく導入し,それによって,フラッシュメモリ平均寿命を延ばすることが可能であるが,その最悪性能と書き換え可能回数の下界を評価した.WOM符号は,マルチユーザー符号の特別な場合と考えることができる.そこで,マルチユーザー符号の観点から,問題をとらえ符号を構成した.多レベルフラッシュメモリは,データを書く時点ですべてのレベルのデータがわかっているので,フラッシュ向けの符号はWOM符号よりも制限の緩い状況で符号を構成することが可能であり,より高い符号化率の達成が期待できる.このような観察に基いてParallel Random Input-Output符号(P-RI/O符号)が提案されている.本研究では,二つの方法でP-RI/O符号を構成した.一つは,マルチユーザー符号の考え方を拡張して,定重みの符号語を使用して符号を構成した.これによって,従来知られている符号よりも高い符号化率の符号を構成できた.もう一つは,Hamming符号を使ったコセット符号化による符号の構成である.符号長が7と15の場合に,WOM符号として構成する場合よりもP-RI/O符号として符号を構成したほうが,効率のよい符号を構成できることを示した.
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IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences
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