研究成果の概要 |
不揮発性半導体メモリのための符号の研究を行った.研究は次のように四つに分類できる:(1)反転セルを用いたIndex-Less-Indexed-Frash符号(ILIFC)の平均性能の高さを計算機実験で示し,最悪時性能の良さを理論的に示した.(2)Parallel-Random-Input/Output(P-RIO)符号の三つの構成方法を示した;(7,4)Hamming符号及び(15,8)Hamming符号を用いたコセット符号化による方法,定重み符号を用いる方法,(3)一般化Cayley距離を用いた誤り訂正符号の関する研究,(4)制約符号の理論を用いた高密度不揮発性メモリのための符号の構成.
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