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NAND型フラッシュメモリに変わる次世代の不揮発性メモリシステムとして国内外の多くの研究者や技術者から期待を集めているPRAM(相変化メモリ)について，その平均書き込み時間削減を目的とした研究を行っている。27年度にはWTS符号という新規の符号を提案し、28年度には高信頼化・長寿命化に関する議論を行った。29年度は，28年度初めに変更した研究計画に従い，MLC(多レベルメモリセル) への対応について検討を行った。その結果、MLC には27年度に提案した WTS符号をそのまま適用することはできないことが明らかになった。その代わり MLC に適したWTS符号とは異なる発想による新しい符号を得ることができた。また符号についてシミュレーション実験などを行い，性能(平均書き込み時間の削減率) やハードウェアオーバヘッド(本手法を適用することによる消費電力およびチップ面積の増加など) の面で良好な結果が得られることを確認している。ただし，当初予想しなかった新しい問題が発生したため，29年度内に本研究を完結させることはできなかった。具体的に，29年度に考案した符号は WTS 符号とは異なる発想のため，28年度に検討・提案した高信頼化・長寿命化技術を初めとする雑多な知見を29年度の研究成果にそのまま適用することができない。それらの問題を解決し，論文執筆および発表することが今後の課題として残っている。
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