研究課題
基盤研究(C)
今日の半導体集積回路に広く使われているシリコン酸化膜絶縁体に関し、熱的安定性の向上と新奇ナノ構造形成を目的とし、真空加熱時のシリコン酸化膜の原子レベルでの反応機構を分析した。その結果、真空加熱時に生ずるシリコン酸化膜の貫通穴は、表面に微量のシリコン粒子が付着すると生じやすいこと、有機ガスの導入により貫通穴の内部にナノリング構造を形成できること、基板の面方位を変えることにより貫通穴の形状を変えることができることなどを明らかにした。
半導体表面物性
