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SiCなどの化合物半導体の、特に高温耐熱デバイスとしての特徴を活かすためには、新たな実装技術開発が必要となっている。従来使用されてきた、半田材料は融点が低く、代替材料として、Au-Ge合金、ナノAg粒子などが検討されてきたが、チップと基板の熱膨張差で発生する熱応力の緩和が課題となっていた。本研究では、高温耐食性についてもすぐれるナノNiに着目し、粒子製造から、接合条件の最適化まで取り組んできた。ナノAg粒子と比較すると、焼結温度は１００℃程度高温となる約３５０℃で、十分な接合強度が得られ、また応力緩和用に挿入するAlとナノNi粒子の接合も低温で可能で、高い接合信頼性を示すことを明らかにした。
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