| 研究実績の概要 |
H30年度は，前年度に引き続き，半導体微細加工技術を用いて作製した磁性半導体 InMnAs微細構造の輸送特性及び磁気特性の評価を行った。用いたInMnAs薄膜は，分子線エピタキシー法により，GaAs基板上にGaSbバッファ層を形成した後，層厚 20 nm，Mn濃度 12 %で成膜したものである（連携研究者（宗片教授）が成膜を担当）。このInMnAs薄膜を半導体微細加工技術を用いてチャネル幅100 nmから2000 nm，チャネル長300 nmから6000 nmの細線に加工した（連携研究者（入江氏）が加工を担当）。このInMnAs細線の異常ホール効果の温度依存性・印加磁場角度依存性の測定を行った。試料サイズの減少によりホール電圧が微少となるため，ロックインアンプ測定法を用いた。H30年度は， 100nmまでの微小構造を持つInMnAs磁性半導体の磁気特性に注目し，サイズ効果の影響を調べた。残留磁化による異常ホール効果成分は， サイズの減少に伴い，増大していく。また,温度の減少とともに増大する傾向を示しているが，600 nm以上では25K以下で飽和傾向が見られている。キュリー温度は，60K以上あり，磁化容易軸が面直である点は一致した。一方，保磁力はサイズを小さくすることで増大することがわかった。飽和磁化，保磁力が増大する傾向が観測され，サイズ効果が現れていると考えられる。また，並行して，InMnAs磁性半導体を最小で100 nmサイズに微細加工し、その構造上に超伝導体を形成することで、接合面積を正確に制御した超伝導体／磁性半導体接合を作製し，その接合のアンドレーエフ反射特性からスピン偏極度を評価する予定であったが，作製を担当していただく連携研究者（入江氏）の研究環境の変化により，H30年度中に作製に至らなかった。このため，この課題には取り組むことが出来なかった。
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