マルチバンドギャップ半導体のバンド構造制御と高効率太陽電池の作製

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K04662
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 結晶工学
• 研究機関: 山梨大学
• 研究代表者: 鍋谷 暢一 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (30283196)
• 研究分担者: 松本 俊 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (00020503) ; 村中 司 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (20374788)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: 太陽電池

研究成果の概要

再生可能エネルギーである太陽光はエネルギー問題が深刻である現在欠くことができない。本研究では太陽電池の高効率化を目的とし、中間バンドをもつ半導体を作製することおよびその物性評価を行った。ZnTeに酸素を添加した半導体では中間バンドが形成される。その高効率化のためには酸素組成の最適化が必要である。理論的には酸素組成が2%と計算されているのに対し、これまでに作製可能であった酸素組成は1%であった。酸素組成を増加させるために硫黄(S)を添加した。

自由記述の分野

工学