| 研究課題/領域番号 |
15K04663
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 神奈川大学 |
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研究代表者 |
松木 伸行 神奈川大学, 工学部, 准教授 (30373450)
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| 研究分担者 |
大島 永康 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究グループ長 (00391889)
上殿 明良 筑波大学, 数理物質系, 教授 (20213374)
ORourke Brian 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (60586551)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池 / 水素化アモルファスシリコン / ボイド / 新規評価手法 / 陽電子消滅 |
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| 研究成果の概要 |
現在、水素化アモルファスシリコン／結晶シリコンヘテロ接合型太陽電池は高効率な太陽電池のひとつとして注目されている。同太陽電池の性能を決定付けている最も重要な特性の一つが水素化アモルファスシリコン（a-Si:H)と結晶シリコン（c-Si）との界面における電子・構造物性である。本研究では、陽電子消滅と分光エリプソメトリーの手法を併用することにより、これまで困難であった、nm膜厚のa-Si:H層内におけるボイド（空隙）サイズを決定する新規な手法を確立した。
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| 自由記述の分野 |
薄膜機能材料、太陽電池
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