研究課題
基盤研究(C)
窒化ガリウムはシリコンに代わるパワーデバイスの材料としての期待も大きい。本研究ではシンクロトロン放射光を用いたＸ線トポグラフィーの手法で、GaN結晶基板上にGaN薄膜を成長させた断面試料を用いることにより成長界面近傍について研究した。その結果、特に界面でΔd/dの値が急激に変化していることがわかった。また、シンクロトロン放射光を用いたX線CTR散乱の測定を行った。その結果、GaN薄膜の結晶性により、CTR散乱強度が異なることから、表面構造が結晶性に依存することが示唆された。
結晶工学
