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サファイア基板表面に窒素マイクロ波プラズマを低温低圧で照射するこにより、サファイア基板表面にAlN単結晶を育成させることを目的とした。500W、数百から千Pa、数百度の範囲で、窒素プラズマはサファイア中の酸素を攻撃し、表面に良質のAlN転換層を形成することができた。形成過程は、サファイアへの活性化した窒素の侵入過程と置換過程の共存により進行することが分かった。得られたAlNの転換層は、サファイア（0001）面を使用したときのみ、単結晶となり、CL測定により欠陥も従来のものと比較すると減少させることができた。
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