2017 年度研究成果報告書

非ハーフメタルヘテロ構造が自発的にハーフメタルトンネル接合となる界面新物質の創成

研究課題

研究課題/領域番号	15K04670
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	結晶工学
研究機関	近畿大学
研究代表者	西川博昭近畿大学, 生物理工学部, 准教授 (50309267)
研究分担者	岩田展幸日本大学, 理工学部, 准教授 (20328686)
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2018-03-31
キーワード	界面電荷移動 / モット・ハバード型絶縁体 / 電荷移動型絶縁体 / ヘテロ界面 / 界面新物質
研究成果の概要	次世代ユニバーサルメモリの有力候補である磁気抵抗ランダムアクセスメモリへの応用が期待できるハーフメタルトンネル接合を実現するための新物質創成を最終目標として、非ハーフメタルからなるヘテロ構造が自発的にハーフメタルトンネル接合となる組み合わせを探索し、界面新物質創成を試みた。ともにペロブスカイト型酸化物であるLaTiO3（LTO）とLaFeO3（LFO）のヘテロ界面においてLTOからLFOへ電子移動が起こり、絶縁体のヘテロ界面が金属的電気伝導を示すという界面新物質の創成に成功した。
自由記述の分野	酸化物エレクトロニクス