| 研究課題/領域番号 |
15K04681
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京都市大学 |
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研究代表者 |
野平 博司 東京都市大学, 工学部, 教授 (30241110)
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| 連携研究者 |
山崎 聡 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンドデバイスチーム, 招聘研究員 (80358241)
竹内 大輔 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンド材料チーム, チーム長 (10357402)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | ダイヤモンド / 光電子分光法 / C1s光電子スペクトル / エッチングによる表面ダメージ |
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| 研究成果の概要 |
ダイヤモンドデバイス製作に不可欠なエッチングプロセス（ダイヤモンド表面損傷軽減が期待できるsoft-ICPエッチング法）による表面への影響、および高濃度にドーピングされたホウ素やリンによる表面近傍の価電子帯の変化を光電子分光装置（AXIS NovaあるいはESCA-300）、一部試料においては検出深さの大きな硬X線光電子分光法（高輝度放射光施設SPring-8、BL47XU）を用いて調べた。その結果、soft-ICPエッチング法は試料表面の化学結合状態を変化させないことが分かった。また、実験結果は、高濃度ドーピングにより、ダイヤモンド表面近傍のバンドが曲がることを示唆していた。
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| 自由記述の分野 |
界面・表面物性
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