| 研究課題/領域番号 |
15K04702
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 石川工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
佐野 陽之 石川工業高等専門学校, 一般教育科, 教授 (80250843)
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| 研究分担者 |
桑原 正史 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (60356954)
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| 研究協力者 |
水谷 五郎
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 光メモリ / 超解像 / シミュレーション / 第一原理計算 / 誘電率 / 相変化 / アンチモナイド |
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| 研究成果の概要 |
機能層材料として有望なSb2Te3を対象にした第一原理計算を行った。融解による光吸収（光子エネルギー3.06eV）の減少が示されたが、この起源は2eV以下の光学遷移の減少によるものであることが分かった。融解によって光吸収が増大するInSbとの比較を行い、結晶状態におけるフェルミ準位付近の電子状態の違いが、両者の性質の違いの原因であることを見出した。
光ディスク中の超解像現象を再現するために、過渡現象を考慮した新しい物理シミュレーションシステムの開発を行った。融解による光吸収変化が異なるSb2Te3とInSbに関して、超解像メカニズムの違いを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
光物性、物理シミュレーション
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
アーカイブ用記録メディアとして必要不可欠な光ディスクは、さらなる大容量化のための研究開発が進められている。高密度記録のための本命技術として超解像技術（機能層材料がレーザー光で解けることによる光学的性質の変化を利用）があるが、超解像現象の発現メカニズムや機能層材料の性質は良く分かっていなかった。本研究では、有望な機能層材料であるInSbとSb2Te3を対象に、融解による光学的性質の変化のメカニズムを明らかにした。また、光ディスク中での光の伝わり方や熱の伝わり方をシミュレーションすることによって、超解像現象を「見える化」することに成功し、超解像メカニズムを明らかにした。
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