| 研究課題/領域番号 |
15K04723
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| 研究機関 | 金沢工業大学 |
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研究代表者 |
宮田 俊弘 金沢工業大学, 工学部, 教授 (30257448)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 太陽電池 / Cu2O / ZnO / 低コスト |
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| 研究実績の概要 |
【①Cu2O表面へのダメージフリーな大面積ｎ形半導体薄膜成膜技術の確立】
本年度はセルの大面積化技術及び高スループット化技術の確立を実施する予定であったが、高効率化のさらなる追求のを優先課題としたため、大面積・高速成膜に最も適した成膜技術の一つであるマグネトロンスパッタ法を用いてCu2O表面へのダメージフリーな大面積ｎ形半導体薄膜成膜技術の確立に関しては平成30年度に主として実施することとした。本年度はその前段階として独自に開発した基板へのプラズマダメージを大幅に軽減できる高周波重畳直流マグネトロンスパッタ技術を採用した大型スパッタ装置を用いてCu2Oシート上にZnO系半導体薄膜を形成するための基礎的予備実験を実施した。
【②太陽電池パネルの試作】及び【③太陽電池パネルの長期太陽光暴露試験の実施】
上記に従って、５cm角以上の大面積太陽電池セルを作製し、それらを複数個接続した太陽電池パネルを試作及び恒温・恒湿試験装置内における長期安定性試験及び温度変化サイクル耐性試験も平成30年度に実施しする予定である。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
Cu2O太陽電池の高効率化のためのｎ型半導体薄膜形成技術の確立、並びにその再現性の向上に当初予定していたよりも多くの時間を必要とした。しかし、多くの時間を掛けたことにより、ｎ型半導体材料の探索並びに再現性向上のための基板配置方法や成膜プロセスの最適化を実現できた。
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| 今後の研究の推進方策 |
当初、平成29年度に実施予定であった研究課題の達成に取り組む
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| 次年度使用額が生じた理由 |
太陽電池パネルの試作等が実施できなかったことに加えて、他の研究費予算からの組み入れにより、経費を次年度に繰り越しました。
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