本研究では新規なn型及びi型半導体薄膜の材料開発及びCu2O表面へのダメージフリーな成膜技術の高度化を実現できた。具体的には、①新規なi型もしくはn型半導体材料の探索においては、結晶性の優れた薄膜を形成できる現有するパルスレーザー蒸着(PLD)装置を駆使して、優れた特性を実現できる材料を開発に成功した。特にZnGeO多元系半導体薄膜をn型層に採用した太陽電池において、Cu2O系太陽電池における世界最高変換効率である8.23%を実現できた。②大面積・高速成膜に最も適した成膜技術であるマグネトロンスパッタ法を用いてCu2O表面へのダメージフリーな大面積n形半導体薄膜成膜技術を確立した。
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