アルカリ－アンチモン機能性保護膜によるGaAsフォトカソードの高耐久化

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K04734
• 研究種目: 基盤研究(Ｃ)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 量子ビーム科学
• 研究機関: 東京理科大学
• 研究代表者: 飯島 北斗 東京理科大学, 理学部第二部物理学科, 助教 (90361534)
• 研究期間 (年度): 2015-10-21 – 2018-03-31
• キーワード: 光陰極 / 高輝度電子ビーム

研究成果の概要

ヒ化ガリウム（GaAs）に代表されるⅢ－Ⅴ族半導体を利用したフォトカソードの長寿命化を実現させるためにセシウム―アンチモン（Cs-Sb）薄膜をフォトカソードの機能性保護膜とする研究を行った。保護膜の最適化をはかるためにカソード基板の熱処理温度と膜厚を探索した。結果、熱処理は酸化物脱離が観測される温度、また膜厚は1nmという比較的薄いものが機能性保護膜として最適である。このCs-Sb保護膜は薄くとも、化合物をなしており基板に対してはヘテロ接合され、表面ポテンシャルを低下させていることが分かった。

自由記述の分野

加速器科学