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コヒーレントフォノン(CP)は、超短パルスレーザーを半導体に照射した際に誘起される典型的な超高速過程である。本研究では、これまで未踏である初期時間領域(パルス照射後100fs程度までの時間領域)に内在するCP起因の物理を明らかにする。照射パルスの強度に関する非摂動的な理論模型を構築し、CP生成機構の理解を行った。さらに、過渡的Fano効果の発現、プラズモンと縦光学フォノンの共鳴相互作用に起因するCP時間信号の不規則振動パターンおよび対応する周波数スペクトルにおける非対称プロファイル、初期位相のパルス強度に対するRabi振動等を見出し、実験との比較を行い有為な一致を得た。
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