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表面にステップ端をもつワイル半金属における電子状態を数値シミュレーションによって解析し，ステップ端近傍に局在したカイラル表面状態が現れる条件を明らかにした．さらにこのような局在状態は，十分に広い表面に現れる強い局在状態とは異なり，弱く（べき的に）局在していることも明らかにした．弱く局在した状態は極めて大きいサイズのモデル系を用いなければ検出できないため，これまでに理論的にも報告されていなかった．表面局在状態はSTM等を用いて検出可能であり，今後の実験的研究の進展につながる成果と見なせる．
また，ワイル方程式を正則化する解析的な処方箋を開発し，螺旋転位を含むワイル半金属に応用した．ワイル半金属に螺旋転位を導入すると，転位線に沿って1次元的なカイラルな局在状態が顕在化する．しかし，フェルミ・アークとして知られるカイラルな表面状態と同様に，この1次元的なカイラル局在状態もワイル方程式の枠内では記述できないことが知られていた．この処方箋を用いれば簡便なワイル方程式を用いてワイル半金属の特異な電子状態を記述することが出来るので，今後の理論研究の発展に寄与する成果と言える．特に，ワイル超伝導体における表面状態の解析に威力を発揮するものと期待している
その他に関連する研究として，二層グラフェン-超伝導接合の電気伝導特性を解析し，新しい共鳴伝導現象が生じる可能性を指摘した．
上記三つの話題に関してそれぞれ一編の論文を出版した．
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