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新規PS3型三脚型四座配位子や新規SiS3型三脚型四座配位子を有する9-11族金属錯体を合成し，これらの錯体の構造，反応性，触媒活性を明らかにした。特に，SiS3型配位子を有するロジウム錯体を触媒としたフェニルアセチレンのヒドロシリル化反応において，室温ではZ-アルケンが，50 °C ではE-アルケンが高収率で得られ，温度により選択性が逆転することを明らかにした。また，PS3型配位子を有する１価ロジウム錯体を合成し，この錯体がO2と速やかに反応してロジウム－酸素錯体を与えることを明らかにした。この錯体はO2の活性化に有効であることが期待される。
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