| 研究課題/領域番号 |
15K05481
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機能物性化学
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| 研究機関 | 首都大学東京 |
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研究代表者 |
兒玉 健 首都大学東京, 理工学研究科, 准教授 (20285092)
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| 研究分担者 |
古川 貢 新潟大学, 研究推進機構, 准教授 (90342633)
加藤 立久 京都大学, 国際高等教育院, 教授 (80175702)
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| 研究協力者 |
中鳥 なつみ
三谷 拓示
小林 和博
西本 真也
髙井 良也
吉田 俊
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 複核金属内包フラーレン / スピン状態 / 多周波数ＥＳＲ |
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| 研究成果の概要 |
アニオンでのみ安定なM2@C80の単離法をY2@C80を対象として開発した。Gd2@Cn(n=78,80)アニオンを単離し、スピン状態がS=15/2であることをESRにより明らかにした。また、Gdとスピンを持たない金属MのGdM@C78(M=Sc, La)アニオンのスピン状態がS=4であることもESRにより明らかにした。この結果、内包されたGd由来のS=7/2のスピンとダイマー軌道の電子のS=1/2の間に強磁性的相互作用が働くことが分かった。Tm2@C78アニオンのスピン状態が有効スピンS=1/2で記述できることを示した。二核金属内包フラーレンアニオンの電子状態の計算を行った。
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| 自由記述の分野 |
物理化学
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