研究課題
基盤研究(C)
半導体デバイスの製造に欠かせない化学的機械研磨において、ウェーハと研磨パッド間のミクロなスケールにおけるスラリー流れは未解明である。そこで、流れの相似則を利用して模擬的なスラリー流れを再現し、ミクロなスラリー流れの可視化観察を実施した。その結果、ウェーハと研磨パッド間の微細な凹凸領域に循環流れの存在を確認した。また、循環流れの数が多いほど研磨レートが大きくなる傾向にあることが分かった。本研究で確認されたミクロな循環流れを制御することにより、研磨性能の向上につながる可能性がある。
工学
