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シリコンウェーハなど半導体基板の仕上げ加工技術として CMP が多用され，とくに最終仕上げではコロイダルシ リカスラリーが主に使用される．本スラリーは，ナノレベルの粒子径をもつシリカ粒子を安定分散させたコロイド溶液 であり，使用条件によっては，凝集による研磨特性の低下を引き起こすことがある．そこで，コロイダルシリカスラリー を研磨領域に供給する前に電界を印加し，シリカ粒子の分散性を支配するゼータ電位の制御を試みた．その結果， 研磨効率を 11%向上させることに成功したのでその内容について報告する．
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