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乾燥させた使用済みガラス用研磨剤に大気中808nm半導体レーザーを照射し、発生するセリウム成分を含む蒸気をガラス基板に堆積させることでセリウム成分を回収した。回収成分は主に酸化セリウムと酸化ランタンで構成される。レーザー照射条件と照射方法の最適化を行った結果、セリウム成分の原子比は75％から88％に上昇し、ランタン成分の原子比は25％から12％と減少した。回収物の厚膜化を行った結果、電流値35Ａにおいて研究当初の1.4μmから最大185μmまで可能となった。回収した白色蒸着物をスラリーとして用い、ガラスの模擬的研磨試験を行った結果、照射前と比較し研磨面の最大谷深さＰＶ値が71％低減した。
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