研究課題
基盤研究(C)
CuxAg1-xInS2結晶を垂直ブリッジマン法にて育成した。分光エリプソメータにて測定した複素誘電率スペクトルでは、臨界点の構造が明確に観測された。AgInS2では光吸収スペクトルにおいて偏光依存性が観測された。また、フォトリフレクタンス測定においては、バンドギャップエネルギーの特異な温度依存性が低温にて観測された。10 Kにおけるスピン軌道相互作用エネルギー、結晶場分裂エネルギーは、それぞれ38 meV、-168 meVであることがわかった。
半導体光物性
