研究課題
本研究の目的は垂直磁気異方性を有するCoFeB/MgOなど磁気トンネル接合膜の磁気スイッチングに寄与する電子状態を明らかにすることである。具体的には①磁気スイッチングにおけるスピン磁気モーメントと軌道磁気モーメント寄与の解明②スピン磁気モーメント・軌道磁気モーメントの磁気スイッチングとそれに寄与する波動関数の対称性との関連の解明について研究を行う。平成27年度では熱処理による固体エピタキシーによって結晶成長制御したCoFeB(002)/MgO(002)多層膜、アモルファス層CoFeB単層膜の比較評価を行った。平成28年度では新たにアモルファスCoFeB/MgO(002)多層膜、結晶化したCoFeB(110)単層膜を作製し、4つの試料を比較してCoFeB/MgO界面の効果、CoFeB層の結晶化の効果を比較することとした。平成29年度はTa/CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合多層膜、Ta/CoFeB多層膜を作製した。これらの試料についてスピン選択磁化(Spin Selective Magnetic Hysteresis:SSMH)曲線、軌道選択磁化(Orbital selective Magnetic Hysteresis: OSMH)曲線を測定した。さらに磁気量子数選択的SSMH曲線を求めた。その結果、CoFeB/MgO界面あるいはCoFeB/Ta界面においてスピン磁気モーメントと軌道磁気モーメントの磁化反転挙動は異なっており、軌道磁気モーメントが垂直磁気異方性的挙動を示すことがわかった。一方、軌道磁気モーメントの磁化反転挙動を支配しているのは、CoFeB/MgO界面では磁気量子数|m|=2の対称性CoFeB/Ta界面では磁気量子数|m|=1の対称を有する電子軌道であることがわかった。
2: おおむね順調に進展している
①磁気スイッチングにおけるスピン磁気モーメントと軌道磁気モーメント寄与の解明においては、CoFeB/MgO界面およびCoFeB/Ta界面においてスピン磁気モーメントと軌道磁気モーメントの磁化反転挙動は異なっており、軌道磁気モーメントが垂直磁気異方性的挙動を示すことを明らかにすることができた。②スピン磁気モーメント・軌道磁気モーメントの磁気スイッチングとそれに寄与する波動関数の対称性との関連の解明においては、垂直磁気異方性を付与する軌道磁気モーメントの磁化反転挙動を支配しているのは、CoFeB/MgO界面では磁気量子数|m|=2の対称性、CoFeB/Ta界面では磁気量子数|m|=1の対称性を有する電子軌道であることを明らかにした。以上から概ね目標は達成した。
なお、今後は、最近研究成果が得られたTa/CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合におけるCoFeB/MgO界面とCoFeB/Ta界面の磁化反転挙動の違いについて至急論文発表を進めると同時に、Ta/CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合における磁気スイッチング挙動の温度変化等を測定し、軌道磁気モーメントあるいは特定の対称性を有する軌道を制御することで磁気スイッチングを制御する手法について検討していく。
当初計画より順調に実験が進んだため、次年度使用額に差額が生じた。一方、至急発表すべき成果が得られつつあるため、差額を成果報告等に使用する。具体的にはTa/CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合におけるCoFeB/MgO界面とCoFeB/Ta界面の磁化反転挙動の違いについて至急論文発表を進めると同時に、Ta/CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合における磁気スイッチング挙動の温度変化等を測定し、軌道磁気モーメントあるいは特定の対称性を有する軌道を制御することで磁気スイッチングを制御する手法について検討していく必要がある。
すべて 2017 その他
すべて 国際共同研究 (3件) 雑誌論文 (5件) (うち国際共著 3件、 査読あり 5件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (5件) (うち国際学会 5件、 招待講演 1件)
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