研究課題
基盤研究(C)
本研究では我々が独自に開発した２次元評価法（界面顕微光応答法）が、ワイドバンドギャップ半導体上に形成した電極の劣化機構の解明、欠陥評価に適応できることを実証した。GaN,及びIGZO上の電極の高電圧印加劣化、GaN、SiC表面のイオン注入、エッチング損傷、更にGaN,SiC基板上の大きな構造欠陥（クラック、ヒロック、ドメイン粒界）の評価において、本手法が高感度に2次元評価できることを明らかにした。
半導体表面、界面
