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電気アシスト自己組織化成膜法の最適化により基板に垂直配向した六方晶メソポーラスシリカ薄膜を成膜し，メソ孔内部への磁性金属充填と磁性体のスピン依存トンネル伝導実現を目指した。陰極バイアス電場印加と低抵抗Si基板使用により，金属薄膜基板に比べ表面の定電流密度領域が拡大し，メソ孔規則配列領域を大幅に拡大した。電気アシストを定電流駆動化することで，更に規則配列の広範囲化を実現した。パルスめっきによるメソ孔内への磁性金属充填は実現出来ていない。これは，薄膜初期層の構造の乱れと薄膜の低付着力によりCoが界面を広げ，基板表面に堆積したものと考えられる。更なる初期層の規則化と付着力向上の検討が必要である。
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