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本研究は、リチウムイオン２次電池の技術を応用し、リチウム３元化合物中のリチウムイオンの挿入・脱離による可逆的電子構造変化（価電子帯が金属的電子配置～半導体的電子配置に変化）に基づく電気抵抗の変化を制御することにより、メモリスタ効果の実現を目的とする。
特に、当該研究期間において、種々のリチウム３元化合物において漸次リチウムを脱離させた構造に対し、lapw+lo法（Wien2k）を用いて電子状態計算を行うとともに、電子輸送特性に関するシミュレーションを行った。その結果、種々の材料の中でも、Li2CN2はリチウムの挿入・脱離させた前後で電気抵抗が有意に変化することを明らかにした。
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