| 研究課題/領域番号 |
15K05987
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
浅田 裕法 山口大学, 理工学研究科, 准教授 (70201887)
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| 研究分担者 |
仙波 伸也 宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 准教授 (40342555)
岸本 堅剛 山口大学, 理工学研究科, 助教 (50234216)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 強磁性半導体 / 異常ネルンスト効果 |
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| 研究実績の概要 |
平成27年度は主に(Ge,Mn)Te等の成長条件の検討を行った。BaF2基板上の膜においてはMn濃度0.7の試料を得ることができているが、BaF2基板の劈開性等により微細加工が困難であることから、これまでデバイス化のため検討してきたGaAs基板上への成長についても高濃度Mn組成の薄膜を得るための検討を行った。バッファ層としてZnTeを用いたものと用いていないものの2種類の構造の試料を作製した。GeTeに対するMnとTeの供給比を増やすことで、キュリー温度はBaF2基板上の薄膜に比べると低いもののMn濃度x=0.4までの薄膜を両構造において得ることができた。また、Te供給比を変えることによりGaAs基板上の試料についてもキャリア濃度を調整できることがわかった。さらに、Mn濃度を増やしたところ成長温度によっては(Ge,Mn)Te に加えMnTeのピークが現れた試料が得られており、(Ge,Mn)TeにMnTeが分散した試料の可能性がある。現在、異常ネルンスト効果について評価しているが、試料による符号反転などさらなる検討が必要である。また、(Ge,Cr)TeについてはSrF2基板上への高濃度試料の作製を試み、低温成長とTe供給の最適化によりCr濃度x=0.1でキュリー温度200 KとBaF2基板に比べ、高濃度Cr組成かつ高いキュリー温度を示すエピタキシャル膜を得た。さらにBaF2基板上においてMnTe/(Ge,Mn)Teエピタキシャル積層膜を得ることに成功した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
(Ge,Cr)TeやMnTe/(Ge,Mn)Teのエピタキシャル成長膜を得るなど膜成長については進展しているが、(Ge,Mn)Teの熱磁気効果についての検討が遅れている。
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| 今後の研究の推進方策 |
(Ge,Mn)Teの熱電特性についてさらなる検討を行う。磁気特性評価と比較することでMn濃度等の材料特性との相関を明らかにし、熱磁気効果について検討する。 (Ge,Cr)TeについてCr濃度やキャリア濃度の異なる試料を作製し、熱電特性について調査し、(Ge,Mn)Teとの比較を行う。また、エピタキシャル成長に成功しているMnTe/(Ge,Mn)Teについて熱電特性評価を行う。このとき温度依存性について検討する。(Ge,Mn)TeとMnTe等の多層膜や (Ge,Mn)Te細線における熱電効果を調べる。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
装置の修理に時間を要したため消耗品の購入が予定より若干少なかった
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| 次年度使用額の使用計画 |
プロセス用試薬として使用
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