| 研究課題/領域番号 |
15K05991
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 熊本大学 |
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研究代表者 |
中村 有水 熊本大学, 大学院先端科学研究部(工), 教授 (00381004)
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| 研究分担者 |
境 健太郎 宮崎大学, 産学・地域連携センター, 准教授 (20336291)
浪平 隆男 熊本大学, パルスパワー科学研究所, 准教授 (40315289)
山口 敦史 金沢工業大学, 工学部, 教授 (60449428)
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| 連携研究者 |
永岡 昭二 熊本県産業技術センター, 材料地域資源室, 研究主幹 (10227994)
土屋 昌弘 独立行政法人情報通信研究機構, 上席研究員 (50183869)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 酸化物半導体 / ミスト化学気相成長法 / 発光ダイオード |
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| 研究成果の概要 |
窒化物を用いた青色発光ダイオードに替わる低価格な新材料LEDの開発に向け、我々は大気圧で成膜可能なミスト化学気相成長法により形成した酸化物薄膜をベースに、長期的に安定したｐ型層および有害物質を含まない青色発光層を開発し、大気圧成膜法による世界初のLEDの作製を目的として研究を行った。その結果、LEDの作製までは至らなかったが、ｐ型酸化亜鉛の形成に必要なV族元素（窒素）の添加法の確立、LEDの産業化に必要な高均一な薄膜形成法の確立（論文化済、特許登録済）、バッファー層による酸化亜鉛層の高品質化（論文化済）、青色発光が可能な硫化亜鉛の単結晶化（論文化済、特許出願済）を成し遂げることが出来た。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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