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本研究では、Ⅲ-V半導体の中で最もエネルギーバンドギャップの小さいInSbに窒素を導入したInSbN希薄窒化物半導体を作製するために、有機金属気相成長法を用いて、GaAs（001）基板上InSbN膜を作製した。材料であるアンモニアの流量を変化させることにより、X線回折の2θ-ω測定において、スペクトルのシフトを確認し、格子定数が小さくなることを明らかにした。これらの結果等から、InSbN結晶を作製することが可能であることがわかり、アンモニア流量やSb流量の制御によりナローバンドギャップ化を達成できることがわかった。これらのことから、私たちは、遠赤外線デバイスを実現することが示唆できた。
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