近年のIoT(モノのインターネット)を始めとする情報通信機器の発展のため、万能メモリーである強誘電体メモリや圧電型エネルギーハーベスターの実用化が期待されている。特に、強誘電体メモリは新規トンネルタイプメモリが注目されており、高品質ナノ結晶育成技術が重要である。本研究では独自手法である運動量制御型斜入射スパッタ法によりナノ3次元構造の育成と評価に取り組んだ。結果として、PZT系強誘電体材料のナノ結晶を育成でき、ナノ結晶アレイ、ナノシート、ナノワイヤを自己組織的に作り分けることに成功した。また、電極材料であるPtについてもmmオーダーの広面積で均質なナノシート状電極膜を形成することができた。
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