研究課題
基盤研究(C)
InSb薄膜ホール素子の微小磁場検出における磁界検出特性、磁界検出の精度を決めるオフセット電圧の揺らぎ、ノイズのパワースペクトルついての検討をおこなった。磁界検出の感度においては、1 uTの磁束密度の磁界を精度よく測定することができることがわかり、さらに、その最大揺らぎは±250 nT、揺らぎの標準偏差は130 nT程度であることが分かった。また、ノイズスペクトル測定では広い周波数範囲で1/fノイズが観測され、そのパワースペクトル密度は、入力電流に比例していることが分かった。
スピントロニクス、III-V族半導体
