原子薄膜を用いた電気的極性可変トランジスタの開発

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K06006
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 中払 周 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主幹研究員 (90717240)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: トランジスタ / ２次元物質 / 極性制御 / ショットキー接合 / 低消費電力

研究成果の概要

集積回路の消費電力低減が期待される極性可変トランジスタの実現のためには、真性半導体材料に電子と正孔の両方が注入される必要がある。この目的で最適な遷移金属ダイカルコゲナイド系半導体材料としてα相二テルル化モリブデンに着目し、この物質におけるフェルミ準位ピンニングが弱いこと、即ちコンタクトの金属種を変えることで電子と正孔の両方の注入が可能になることを明らかにした。これにより、極性可変トランジスタにおいてこれまで問題であったｎ型とｐ型の駆動電流値のアンバランスの問題が解消される。

自由記述の分野

半導体工学