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本研究課題の目的は、マルチメサチャネル構造をAlGaN/GaN HEMT構造に適用し、上記の安定性および信頼性に関する問題を解決することである。MMC HEMTは電流コラプスおよびその他の不安定性に対して高い耐性を示し、有望なパワーデバイスの実現に向けて、有望なデバイス構造の一つになることが明らかになった。また、電流コラプスの対策法として、MMCと共に適用することができる、高圧水蒸気アニーリング、酸素プラズマ処理、フィールドプレートおよび金属 - 絶縁体 - 半導体構造についても評価をおこない、MMCとの同時併用が有望である可能性が示唆された。
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