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GaN/Siトランジスタに発生する局所的なリーク電流の解析をおこなった。通常用いられる金属に変え、透明であるITOをゲート電極とし、リークによる発光を透明ゲート電極を通して確認することに成功した。複数のサンプルで、ゲートリーク電流と発光によるフォトン数の大小に相関があることも確認した。ゲート部の発光箇所直下のSTEM観察を行い、バッファ層に相当する箇所で異常な成長がおこっていることを確認した。
電極をつけないでリークを観察するために、AFM装置を用いてGaN系結晶の微小電流を測定することに成功した。微小電流が流れる箇所は、AFMで観察した表面形状との相関はなかった。
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