導電性ブリッジメモリにおける素子設計手法としての「細孔エンジニアリング」の提案

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K06017
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京理科大学 (2017); 鳥取大学 (2015-2016)
• 研究代表者: 木下 健太郎 東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 准教授 (60418118)
• 研究分担者: 伊藤 敏幸 鳥取大学, 工学研究科, 教授 (50193503)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: CBRAM / 細孔 / 溶媒添加 / イオン液体 / 溶媒和イオン液体 / 金属イオン / 導電性ブリッジメモリ / 多結晶薄膜

研究成果の概要

本研究は「細孔エンジニアリング」の有効性の実証を目的とする. 本手法は(i)添加溶媒の種類，(ii)細孔サイズ, (iii)細孔壁の性質を通じてメモリ特性を制御するものである. 特に, 金属酸化物多孔体CBRAMにおいて, 添加溶媒の極性やpHがメモリ効果に決定的な影響を及ぼすことを明らかにした. 本研究にてCBRAMの性能を向上させる添加溶媒が多数開発された. 例えば, Cu2+やAg+を含有させたイオン液体を添加することで, 書き換え回数(SE)の著しい向上が実現した. 溶媒和イオン液体の添加により, Cu2+の陰極への接近を容易にし, SEに加えてスイッチング電圧の低下も実現した.

自由記述の分野

電子デバイス