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シリコン光変調器の低消費電力化を目的として、低電圧駆動が可能なトンネル電界効果トランジスタを位相変調器として利用した低電圧駆動マッハツェンダ型シリコン光変調器の実現可能性を検討した。トンネルトランジスタはソース・チャネル間で電子のトンネルによって動作するトランジスタであり、本研究ではそれを光変調器に適用するための構造を提案し、それを作製するための簡便化したCMOS互換プロセスを検討した。試作したデバイスでは光変調を確認出来なかったが、SOI基板上のシリコントンネルトランジスタ作製プロセスにおける様々な課題を洗い出すことが出来た。
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