シリコンフォトニクス回路へのIII-V族量子ドットレーザ集積化に関する研究

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K06029
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 上智大学
• 研究代表者: 下村 和彦 上智大学, 理工学部, 教授 (90222041)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: シリコンフォトニクス / 半導体レーザ / 量子ドット / 集積化技術 / 有機金属気相成長

研究成果の概要

光インターコネクション技術の実用化のために、シリコン基板上にIII-V族量子ドットレーザを集積化するための研究を行った。これは我々が提案した、シリコン基板上にInP薄膜層を直接接合した基板を用いてIII-V族半導体デバイス層を結晶成長する方法、を用いている。有機金属気相成長により波長1.5μｍ帯GaInAsPダブルヘテロ構造を成長し、ファブリペローレーザを作製した。そして室温パルス発振を達成し、InP基板上レーザと同じしきい値電流密度を得ることに成功した。さらにシリコン基板上量子ドット構造の成長条件を把握し、電流注入による発光を達成した。

自由記述の分野

光エレクトロニクス