| 研究課題/領域番号 |
15K06041
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 愛知工業大学 |
|---|
研究代表者 |
五島 敬史郎 愛知工業大学, 工学部, 准教授 (00550146)
|
|---|
| 研究分担者 |
天野 建 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (10392581)
津田 紀生 愛知工業大学, 工学部, 教授 (20278229)
森 竜雄 愛知工業大学, 工学部, 教授 (40230073)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
|
| キーワード | 半導体工学 / 低次元デバイス / 化合物半導体 / 量子ドット |
|---|
| 研究成果の概要 |
量子ドットレーザは、低閾値、温度安定を持つレーザとして期待されている。しかしながら、光増幅率が少ないという問題がある。これまで高密度で高均一な量子ドット成長技術によって8cm-1の光増幅率を達成してきた。さらなる光増幅率向上を目指して、量子力学的相互作用による結合効果を利用した構造を検討してきた。
この研究では、バリア層の違う構造をVSL法を用いて光増幅率を観測した。我々は、2重近接積層構造を提案した。この構造は、高い結晶品質を維持しながら強い量子力学的相互座用も持ち合わせる特徴を持っている。VSL法を用いた観測から、今回提案した2重近接積層構造が他の一般的な構造に比べて最も高い光増幅率を得た。
|
| 自由記述の分野 |
半導体光物性
|
