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MoSi2は常温で高い導電性を有し、化学的安定性が高い物質である。しかし、その結晶構造により耐酸化特性や伝導率が大きく異なり、正方晶が実用的に最も好ましい特性を示す。しかし、一般的な手法でMoSi2を堆積すると結晶構造が六方晶などに変化する。AD法により結晶構造を保持したまま意図した場所・形状でMoSi2を堆積できることは その実用的に大変有益であり研究を遂行した。 同様に、透明導電性薄膜をガラス基板、PETなどのプラスチック、有機物上にも堆積ができ、十分低い抵抗率、光透過性を示す薄膜を形成した。これらの成果は国内、国際学会(ICC6)などで研究成果を報告し、2編の査読付学術論文を掲載された。
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