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本研究では、金属フィラメント型ReRAM（CBRAM）と酸素空孔フィラメント型ReRAM（VCM）の電気特性に及ぼす酸化物薄膜の膜質の影響を明らかにした。CuまたはAg/TaOx薄膜/Pt構造のCBRAMにおいて、薄膜の微構造が抵抗スイッチングと量子化伝導に及ぼす影響を検討し、ナノポーラス構造のTaOx薄膜が最も良好な量子化伝導特性を示すことが分かった。また、Au/Y2O3添加ZrO2(YSZ)薄膜/n型Si構造のVCMにおいて、YSZ薄膜の化学組成と結晶性が及ぼす影響について検討し、8mol%YSZエピタキシャル薄膜が最も良好な抵抗スイッチング特性と量子化伝導特性を示すことを明らかにした。
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