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フェムト秒レーザー照射によりシリコンカーバイド（SiC）表面に改質を導入し，その後，ニッケル（Ni）薄膜を蒸着してアニールを行った。アニール温度400℃において，フェムト秒レーザー照射誘起改質がSiCを分解するNiの触媒作用を高め，NiとSiの相互拡散およびNiとSiの反応を促進し，Ni/SiC界面にNiシリサイド（NiとSiの化合物）が形成することが分かった。従来，SiC上にNi電極を形成する際には900℃以上のアニール温度が必要とされていたことに比べ，プロセスの大幅な低温化につながる可能性のある成果が得られた。
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