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極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、電離放射線を用いる最新の半導体量産技術として注目されている。用いられるレジスト材料は、露光による電離によって放射線化学反応が誘起されて溶解性が変化する。一方で電離後のレジスト中の電荷のダイナミクスは、ナノリソグラフィにとって重要であるにも関わらず、いまだ詳細は明らかにされていない。本研究は、電子線パルスラジオリシス法等により、レジストの主成分である芳香族分子内の過剰電荷の挙動を明らかにすることを目的として研究を行った。また、レジスト性能を向上させる新たな手法の提案を行った。
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